AGM-Semi (core control source)
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AGM40P30D
P-channel 40V 30A 25mΩ
Numéro d'article
AGM40P30D
Catégorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricant/Marque
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
TO-252
Emballage
taping
Nombre de paquets
2500
Description
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 30A Power (Pd): 59W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ@10V,20A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 27nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.12nF@15V Operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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