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AGM-Semi (core control source)

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AGM402H

N-channel 40V 170A 2.6mΩ

Numéro d'article

AGM402H

Catégorie

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricant/Marque

AGM-Semi (core control source)

Encapsulation

TO-263

Emballage

Tube

Nombre de paquets

Description

Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 170A Power (Pd): 250W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.6mΩ@10V,40A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 73nC@20V Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.14nF@20V Operating Temperature: -55℃~+150℃@(Tj )

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