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AGM-Semi (core control source)

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AGM401A

N-channel 40V 200A 0.86mΩ

Numéro d'article

AGM401A

Catégorie

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricant/Marque

AGM-Semi (core control source)

Encapsulation

PDFN(5x6)

Emballage

taping

Nombre de paquets

3000

Description

Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 200A Power (Pd): 92.6W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.86mΩ@10V,50A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 115nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 7.5nF@20V Operating Temperature: -55℃~+150℃@( Tj) DFN5*6encapsulation;

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