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AGM-Semi (core control source)

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AGM402C

N-channel 40V 170A 2.3mΩ

Numéro d'article

AGM402C

Catégorie

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricant/Marque

AGM-Semi (core control source)

Encapsulation

TO-220

Emballage

Tube

Nombre de paquets

Description

Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 170A Power (Pd): 250W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 2.3mΩ@ 10V, 40A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 73nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.14nF@20V , Vds=40V Id=170A Rds =2.3mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)

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