AGM-Semi (core control source)
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AGM403A1-KU N-channel 40V 120A 2.7mΩ

AGM403A1-KU

N-channel 40V 120A 2.7mΩ
Numéro d'article
AGM403A1-KU
Catégorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricant/Marque
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
PDFN(5x6)
Emballage
taping
Nombre de paquets
3000
Description
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 120A Power (Pd): 105W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.7mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 20nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 3nF@15V Operating Temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;
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Coordonnées
Mots-clés de AGM403A1-KU
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