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SIHD2N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Numéro d'article

SIHD2N80E-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

D-PAK (TO-252AA)

Dissipation de puissance (maximum)

62.5W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

800V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.8A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.75 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

19.6nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

315pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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