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SIHD1K4N60E-GE3

MOSFET N-CH DPAK TO-252

Numéro d'article

SIHD1K4N60E-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

TO-252AA

Dissipation de puissance (maximum)

63W (Tc)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4.2A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.45 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

172pF @ 100V

Vgs (Max)

±30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

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