Acheter Vishay Siliconix SIHD240N60E-GE3 MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

SIHD240N60E-GE3

MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

Numéro d'article

SIHD240N60E-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

D-PAK (TO-252AA)

Dissipation de puissance (maximum)

78W (Tc)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

12A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

240 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

783pF @ 100V

Vgs (Max)

±30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 17006 PCS

Coordonnées

Produits connexes

SIHD12N50E-GE3

MOSFET N-CHAN 500V DPAK