Acheter Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R304PL,L1Q MOSFET N-CH 40V 80A TSON

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

TPN2R304PL,L1Q

MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Numéro d'article

TPN2R304PL,L1Q

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSIX-H

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

175°C

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Dissipation de puissance (maximum)

630mW (Ta), 104W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

80A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.3 mOhm @ 40A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.4V @ 0.3mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 23771 PCS

Coordonnées