Acheter Toshiba Semiconductor and Storage TPN22006NH,LQ MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

Afficher plus d'informations DataSheets

TPN22006NH,LQ

MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

Numéro d'article

TPN22006NH,LQ

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSVIII-H

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Dissipation de puissance (maximum)

700mW (Ta), 18W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

9A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 5165 PCS

Coordonnées