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TPN2010FNH,L1Q

MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

Numéro d'article

TPN2010FNH,L1Q

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

U-MOSVIII-H

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-TSON Advance (3.3x3.3)

Dissipation de puissance (maximum)

700mW (Ta), 39W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

250V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

5.6A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

198 mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 200µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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