Toshiba Semiconductor and Storage
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TPN2R203NC,L1Q
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TPN2R203NC,L1Q

MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
Numéro d'article
TPN2R203NC,L1Q
Fabricant/Marque
Toshiba Semiconductor and Storage
Série
U-MOSVIII
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerVDFN
Package d'appareil du fournisseur
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Dissipation de puissance (maximum)
700mW (Ta), 42W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
45A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2.2 mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.3V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2230pF @ 15V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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