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2SJ610(TE16L1,NQ)

MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD

Numéro d'article

2SJ610(TE16L1,NQ)

Fabricant/Marque

Toshiba Semiconductor and Storage

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

PW-MOLD

Dissipation de puissance (maximum)

20W (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

250V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.55 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

381pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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