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2SJ649-AZ

2SJ649-AZ

MOSFET P-CH 60V 20A TO-220
Numéro d'article
2SJ649-AZ
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Bulk
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3 Isolated Tab
Package d'appareil du fournisseur
TO-220 Isolated Tab
Dissipation de puissance (maximum)
2W (Ta), 25W (Tc)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
20A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
48 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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Coordonnées
Mots-clés de 2SJ649-AZ
2SJ649-AZ Composants électroniques
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