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2SJ652-RA11

2SJ652-RA11

MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML
Numéro d'article
2SJ652-RA11
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3 Full Pack
Package d'appareil du fournisseur
TO-220ML
Dissipation de puissance (maximum)
-
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
28A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
38 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4360pF @ 20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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2SJ652-RA11 Composants électroniques
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