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2SJ665-DL-E

MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD

Numéro d'article

2SJ665-DL-E

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

SMP-FD

Dissipation de puissance (maximum)

1.65W (Ta), 65W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

27A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

77 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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