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SIZF916DT-T1-GE3

SIZF916DT-T1-GE3

MOSFET N-CH DUAL 30V
Numéro d'article
SIZF916DT-T1-GE3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET® Gen IV
Statut de la pièce
Active
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerWDFN
Puissance - Max
3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Package d'appareil du fournisseur
8-PowerPair® (6x5)
Type FET
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Standard
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
23A (Ta), 40A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
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Mots-clés de SIZF916DT-T1-GE3
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