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SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

Numéro d'article

SIZF300DT-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET® Gen IV

Statut de la pièce

Active

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerWDFN

Puissance - Max

3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)

Package d'appareil du fournisseur

8-PowerPair® (6x5)

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Standard

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 10A, 10V, 1.84 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V, 62nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V

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