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SISS72DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V

Numéro d'article

SISS72DN-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® 1212-8S

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® 1212-8S

Dissipation de puissance (maximum)

5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

150V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

7A (Ta), 25.5A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

42 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 75V

Vgs (Max)

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

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