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SISS04DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Numéro d'article

SISS04DN-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET® Gen IV

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® 1212-8S

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® 1212-8S

Dissipation de puissance (maximum)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

50.5A (Ta), 80A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.2 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4460pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

+16V, -12V

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