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SISS08DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25 V POWERPAK 1212

Numéro d'article

SISS08DN-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET® Gen IV

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® 1212-8S

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® 1212-8S

Dissipation de puissance (maximum)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

25V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

82nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3670pF @ 12.5V

Vgs (Max)

+20V, -16V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

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