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SISS42DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Numéro d'article

SISS42DN-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET® Gen IV

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® 1212-8S

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® 1212-8S

Dissipation de puissance (maximum)

4.8W (Ta), 57W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

11.8A (Ta), 40.5A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

14.4 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1850pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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