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SISS40DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

Numéro d'article

SISS40DN-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

ThunderFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Dissipation de puissance (maximum)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

36.5A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

845pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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