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SISH615ADN-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 20 V POWERPAK 1212

Numéro d'article

SISH615ADN-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET® Gen III

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® 1212-8SH

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® 1212-8SH

Dissipation de puissance (maximum)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Type FET

P-Channel

Tension drain-source (Vdss)

20V

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

4.4 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

183nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5590pF @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

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