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SISH106DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Numéro d'article

SISH106DN-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® 1212-8SH

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® 1212-8SH

Dissipation de puissance (maximum)

1.5W (Ta)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

12.5A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

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