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SISH129DN-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Numéro d'article

SISH129DN-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-50°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® 1212-8S

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® 1212-8S

Dissipation de puissance (maximum)

3.8W (Ta), 52.1W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

14.4A (Ta), 35A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

11.4 mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3345pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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