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SIR610DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

Numéro d'article

SIR610DP-T1-RE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

ThunderFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® SO-8

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® SO-8

Dissipation de puissance (maximum)

104W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

35.4A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

31.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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