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SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Numéro d'article

SIR606BDP-T1-RE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET® Gen IV

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® SO-8

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® SO-8

Dissipation de puissance (maximum)

5W (Ta), 62.5W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

10.9A (Ta), 38.7A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

17.4 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1470pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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