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SIDR392DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 30V

Numéro d'article

SIDR392DP-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET® Gen IV

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® SO-8

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® SO-8DC

Dissipation de puissance (maximum)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

82A (Ta), 100A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

0.62 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

188nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

9530pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

+20V, -16V

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