Acheter Vishay Siliconix SIB912DK-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

DataSheets

SIB912DK-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Numéro d'article

SIB912DK-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® SC-75-6L Dual

Puissance - Max

3.1W

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® SC-75-6L Dual

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.5A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

216 mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

95pF @ 10V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 26980 PCS

Coordonnées

Produits connexes

SIB900EDK-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6