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SIB900EDK-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Numéro d'article

SIB900EDK-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

PowerPAK® SC-75-6L Dual

Puissance - Max

3.1W

Package d'appareil du fournisseur

PowerPAK® SC-75-6L Dual

Type FET

2 N-Channel (Dual)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.5A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

225 mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

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