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SIB911DK-T1-GE3

SIB911DK-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
Numéro d'article
SIB911DK-T1-GE3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Digi-Reel®
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Puissance - Max
3.1W
Package d'appareil du fournisseur
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Type FET
2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Standard
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.6A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
295 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
115pF @ 10V
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Mots-clés de SIB911DK-T1-GE3
SIB911DK-T1-GE3 Composants électroniques
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