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SI4845DY-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.7A 8-SOIC

Numéro d'article

SI4845DY-T1-E3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

LITTLE FOOT®

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Dissipation de puissance (maximum)

1.75W (Ta), 2.75W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Schottky Diode (Isolated)

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.7A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

210 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

312pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

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