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SI4800BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Numéro d'article

SI4800BDY-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Dissipation de puissance (maximum)

1.3W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

6.5A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

18.5 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±25V

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