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SI4804BDY-T1-E3

SI4804BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
Numéro d'article
SI4804BDY-T1-E3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Digi-Reel®
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Puissance - Max
1.1W
Package d'appareil du fournisseur
8-SO
Type FET
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
5.7A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
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Mots-clés de SI4804BDY-T1-E3
SI4804BDY-T1-E3 Composants électroniques
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