L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
SI4840BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC
Numéro d'article
SI4840BDY-T1-E3
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareil du fournisseur
8-SO
Dissipation de puissance (maximum)
2.5W (Ta), 6W (Tc)
Tension drain-source (Vdss)
40V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
19A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 12.4A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à chen_hx1688@hotmail.com, nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 52694 PCS
Mots-clés de SI4840BDY-T1-E3
SI4840BDY-T1-E3 Composants électroniques
SI4840BDY-T1-E3 Ventes
SI4840BDY-T1-E3 Fournisseur
SI4840BDY-T1-E3 Distributeur
SI4840BDY-T1-E3 Tableau de données
SI4840BDY-T1-E3 Photos
SI4840BDY-T1-E3 Prix
SI4840BDY-T1-E3 Offre
SI4840BDY-T1-E3 Prix le plus bas
SI4840BDY-T1-E3 Recherche
SI4840BDY-T1-E3 Achat
SI4840BDY-T1-E3 Chip