Acheter Vishay Siliconix SI4816BDY-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

DataSheets

SI4816BDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Numéro d'article

SI4816BDY-T1-GE3

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

LITTLE FOOT®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Puissance - Max

1W, 1.25W

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Type FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Fonctionnalité FET

Logic Level Gate

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

5.8A, 8.2A

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

18.5 mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 44144 PCS

Coordonnées

Produits connexes

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC