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TSM210N02CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23
Numéro d'article
TSM210N02CX RFG
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareil du fournisseur
SOT-23
Dissipation de puissance (maximum)
1.56W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
6.7A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±10V
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