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TSM200N03DPQ33 RGG

TSM200N03DPQ33 RGG

MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
Numéro d'article
TSM200N03DPQ33 RGG
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerWDFN
Puissance - Max
20W
Package d'appareil du fournisseur
8-PDFN (3x3)
Type FET
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Standard
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
20A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
345pF @ 25V
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Coordonnées
Mots-clés de TSM200N03DPQ33 RGG
TSM200N03DPQ33 RGG Composants électroniques
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