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FJ4B01110L1

FJ4B01110L1

CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET
Numéro d'article
FJ4B01110L1
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
4-XFLGA, CSP
Package d'appareil du fournisseur
ALGA004-W-0606-RA01
Dissipation de puissance (maximum)
340mW (Ta)
Type FET
P-Channel
Tension drain-source (Vdss)
12V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1.4A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
153 mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 598µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.3nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
226pF @ 10V
Vgs (Max)
±8V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
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Coordonnées
Mots-clés de FJ4B01110L1
FJ4B01110L1 Composants électroniques
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