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FJ4B01100L1
CSP SINGLE P-CHANNEL MOSFET
Numéro d'article
FJ4B01100L1
Fabricant/Marque
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
4-XFLGA, CSP
Package d'appareil du fournisseur
XLGA004-W-0808-RA01
Dissipation de puissance (maximum)
360mW (Ta)
Type FET
P-Channel
Tension drain-source (Vdss)
12V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.2A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
74 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 1.2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
459pF @ 10V
Vgs (Max)
±8V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
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