Acheter ON Semiconductor NTGS3130NT1G MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-TSOP

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

DataSheets

NTGS3130NT1G

MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-TSOP

Numéro d'article

NTGS3130NT1G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-23-6

Package d'appareil du fournisseur

6-TSOP

Dissipation de puissance (maximum)

600mW (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4.2A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 5.6A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

20.3nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

935pF @ 16V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 22049 PCS

Coordonnées

Produits connexes

NTGS1135PT1G

MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP