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NTGS1135PT1G

MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP

Numéro d'article

NTGS1135PT1G

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

SOT-23-6

Package d'appareil du fournisseur

6-TSOP

Dissipation de puissance (maximum)

970mW (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4.6A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

31 mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

850mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 6V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)

±6V

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