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HUF75309D3ST

MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

Numéro d'article

HUF75309D3ST

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

UltraFET™

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Package d'appareil du fournisseur

D-Pak

Dissipation de puissance (maximum)

55W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

55V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

19A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 19A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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