L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
HUF75307T3ST

HUF75307T3ST

MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223
Numéro d'article
HUF75307T3ST
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Package d'appareil du fournisseur
SOT-223-4
Dissipation de puissance (maximum)
1.1W (Ta)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
55V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.6A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 38597 PCS
Coordonnées
Mots-clés de HUF75307T3ST
HUF75307T3ST Composants électroniques
HUF75307T3ST Ventes
HUF75307T3ST Fournisseur
HUF75307T3ST Distributeur
HUF75307T3ST Tableau de données
HUF75307T3ST Photos
HUF75307T3ST Prix
HUF75307T3ST Offre
HUF75307T3ST Prix ​​le plus bas
HUF75307T3ST Recherche
HUF75307T3ST Achat
HUF75307T3ST Chip