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FQT7N10TF

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Numéro d'article

FQT7N10TF

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

QFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-261-4, TO-261AA

Package d'appareil du fournisseur

SOT-223-4

Dissipation de puissance (maximum)

2W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.7A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

350 mOhm @ 850mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±25V

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