Acheter ON Semiconductor FQT7N10LTF MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.

DataSheets

FQT7N10LTF

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Numéro d'article

FQT7N10LTF

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

QFET®

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-261-4, TO-261AA

Package d'appareil du fournisseur

SOT-223-4

Dissipation de puissance (maximum)

2W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.7A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

350 mOhm @ 850mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Citation requise

Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à chen_hx1688@hotmail.com, nous vous répondrons dans les plus brefs délais.

En stock 42545 PCS

Coordonnées

Produits connexes

FQT7N10LTF

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223