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FCP600N65S3R0

SUPERFET3 650V TO220 PKG

Numéro d'article

FCP600N65S3R0

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

SuperFET® III

Statut de la pièce

Active

Emballage

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-220-3

Dissipation de puissance (maximum)

54W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

6A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.5V @ 600µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

465pF @ 400V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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