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FCP600N60Z

MOSFET N CH 600V 7.4A TO-220F

Numéro d'article

FCP600N60Z

Fabricant/Marque

ON Semiconductor

Série

SuperFET® II

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-220

Dissipation de puissance (maximum)

89W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

7.4A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1120pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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