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IPU50R2K0CEAKMA1

IPU50R2K0CEAKMA1

MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251
Numéro d'article
IPU50R2K0CEAKMA1
Fabricant/Marque
Série
CoolMOS™ CE
Statut de la pièce
Not For New Designs
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Package d'appareil du fournisseur
PG-TO251
Dissipation de puissance (maximum)
33W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
500V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.4A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 600mA, 13V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.5V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
124pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Vgs (Max)
±20V
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En stock 52430 PCS
Coordonnées
Mots-clés de IPU50R2K0CEAKMA1
IPU50R2K0CEAKMA1 Composants électroniques
IPU50R2K0CEAKMA1 Ventes
IPU50R2K0CEAKMA1 Fournisseur
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